Features of the band structure and conduction mechanisms of n-HfNiSn semiconductor heavily Lu-doped - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors Année : 2015

Features of the band structure and conduction mechanisms of n-HfNiSn semiconductor heavily Lu-doped

S. Budgerak
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V. Krajovskii
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A. Horyn
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E. Gladyshevskii
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D. Gignoux
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B. Kuzhel
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V. Krayjvskii
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V. Romaka
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D. Kaczorowski
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V. Stadnyk
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R. Korzh
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V. Krayovskyy
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T. Kovbasyuk
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Dates et versions

hal-01995640 , version 1 (27-01-2019)

Identifiants

Citer

S. Budgerak, V. Krajovskii, A. Horyn, D. Fruchart, E.K. Hlil, et al.. Features of the band structure and conduction mechanisms of n-HfNiSn semiconductor heavily Lu-doped. Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors, 2015, 49 (3), pp.290-297. ⟨10.1134/S1063782615030185⟩. ⟨hal-01995640⟩

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