Features of the structural, electrokinetic, and magnetic properties of the heavily doped ZrNiSn semiconductor: Dy acceptor impurity - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors Année : 2009

Features of the structural, electrokinetic, and magnetic properties of the heavily doped ZrNiSn semiconductor: Dy acceptor impurity

D. Fruchart
  • Fonction : Auteur
Micro et NanoMagnétisme
V. Romaka
  • Fonction : Auteur
E.K. Hlil
  • Fonction : Auteur
Magnétisme et Supraconductivité
V. Stadnyk
  • Fonction : Auteur
Yu. Gorelenko
  • Fonction : Auteur
L. Akselrud
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-01993463

Soumis le : jeudi 24 janvier 2019-21:41:58

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Dates et versions

hal-01993463 , version 1 (24-01-2019)

Identifiants

Citer

D. Fruchart, V. Romaka, E.K. Hlil, V. Stadnyk, Yu. Gorelenko, et al.. Features of the structural, electrokinetic, and magnetic properties of the heavily doped ZrNiSn semiconductor: Dy acceptor impurity. Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors, 2009, 43 (1), pp.7-13. ⟨10.1134/S1063782609010035⟩. ⟨hal-01993463⟩

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