Features of an intermetallic n-ZrNiSn semiconductor heavily doped with atoms of rare-earth metals - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors Année : 2010

Features of an intermetallic n-ZrNiSn semiconductor heavily doped with atoms of rare-earth metals

D. Fruchart
  • Fonction : Auteur
Micro et NanoMagnétisme
E.K. Hlil
  • Fonction : Auteur
Magnétisme et Supraconductivité
E. Gladyshevskii
  • Fonction : Auteur
D. Gignoux
  • Fonction : Auteur
V. Romaka
  • Fonction : Auteur
B. Kuzhel
  • Fonction : Auteur
V. Krayjvskii
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-01993459

Soumis le : jeudi 24 janvier 2019-21:37:43

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hal-01993459 , version 1 (24-01-2019)

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Citer

D. Fruchart, E.K. Hlil, E. Gladyshevskii, D. Gignoux, V. Romaka, et al.. Features of an intermetallic n-ZrNiSn semiconductor heavily doped with atoms of rare-earth metals. Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors, 2010, 44 (3), pp.293-302. ⟨10.1134/S1063782610030048⟩. ⟨hal-01993459⟩

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