Modèle électrique et caractérisation à haute fréquence de condensateurs intégrés sur interposeur silicium

Philippe Artillan (1, 2) , Khadim Dieng (1) , Cédric Bermond (1) , Olivier Guiller (3) , Thierry Lacrevaz (1) , Sylvain Joblot (4) , Gregory Houzet (1) , Alexis Farcy (4) , Yann Lamy , Bernard Flechet (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry] - Université Savoie Mont Blanc
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]

La technologie des « Through Silicon Vias » (TSV) développée pour les interconnexions des interposeurs silicium utilisés dans les empilements 2.5D de circuits intégrés a inspiré de nouveaux composants capacitifs, les « Through Silicon Capacitors » (TSC). Ce papier propose une méthode de modélisation électrique par segments pour de larges matrices de plus de 100 TSCs. La technique de modélisation est ensuite validée expérimentalement sur une large gamme de fréquence (DC-10 GHz). Les matrices de TSC analysées présentent une forte densité de capacité (>23 nF/mm2), de faibles éléments parasites et une fréquence de résonance élevée (>1 GHz pour 10 nF). Ces résultats sont prometteurs pour le découplage dans les réseaux d’alimentation des circuits intégrés très rapides.

Domaines: Electromagnétisme; Electronique; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Philippe Artillan, Khadim Dieng, Cédric Bermond, Olivier Guiller, Thierry Lacrevaz, et al.. Modèle électrique et caractérisation à haute fréquence de condensateurs intégrés sur interposeur silicium. XIXe Journées Nationales Microondes (JNM'15), Jun 2015, Bordeaux, France. ⟨hal-01989995⟩