Article Dans Une Revue
physica status solidi (a)
Année : 2016
Armelle Michetti : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01986079
Soumis le : vendredi 18 janvier 2019-14:54:51
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:25:10
Citer
Aboulaye Traoré, Satoshi Koizumi, Julien Pernot. Effect of n- and p-type doping concentrations and compensation on the electrical properties of semiconducting diamond. physica status solidi (a), 2016, 213 (8), pp.2036-2043. ⟨10.1002/pssa.201600407⟩. ⟨hal-01986079⟩
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