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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Aluminum nitride thin films deposited by hydrogen plasma enhanced and thermal atomic layer deposition

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01981226 , version 1 (14-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01981226 , version 1

Citer

Lian Tian, Arnaud Mantoux, Frédérique Mercier, Alexandre Crisci, R. Reboud, et al.. Aluminum nitride thin films deposited by hydrogen plasma enhanced and thermal atomic layer deposition. E-MRS Spring, Jun 2018, Strasbourg, France. ⟨hal-01981226⟩
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