High precision strain mapping of topological insulator HgTe/CdTe - Archive ouverte HAL

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Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2017

High precision strain mapping of topological insulator HgTe/CdTe

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Benedikt Haas

Fonction : Auteur
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Modélisation et Exploration des Matériaux

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ORCID : 0000-0003-0350-4901
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Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée

Domaines

Physique [physics] Matière Condensée [cond-mat] Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique [cond-mat.mes-hall]

Tristan Meunier : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01980854

Soumis le : lundi 14 janvier 2019-17:01:06

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Dates et versions

hal-01980854 , version 1 (14-01-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-01980854 , version 1
DOI : 10.1063/1.4989822

Citer

Benedikt Haas, Candice Thomas, Pierre-Henri Jouneau, Nicolas Bernier, Tristan Meunier, et al.. High precision strain mapping of topological insulator HgTe/CdTe. Applied Physics Letters, 2017, 110 (26), pp.263102. ⟨10.1063/1.4989822⟩. ⟨hal-01980854⟩

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