Efficient exciton-phonon interaction : Why is it the case in hBN ?
Résumé
In this talk, I will discuss the striking co-existence of a high internal quantum efficiency and an indirect bandgap in hexagonal boron nitride.
Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
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https://hal.science/hal-01961322
Soumis le : mercredi 19 décembre 2018-18:35:41
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:09
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01961322 , version 1
Citer
Guillaume Cassabois. Efficient exciton-phonon interaction : Why is it the case in hBN ?. ICP2C3, Jun 2018, La Vallette, Malta. ⟨hal-01961322⟩
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