Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2018
François Marc : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01946449
Soumis le : jeudi 6 décembre 2018-09:41:45
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01946449 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2018.06.088
Citer
Julien Coutet, Francois Marc, Flavien Dozolme, Romain Guétard, Aurélien Janvresse, et al.. Influence of temperature of storage, write and read operations on multiple level cells NAND flash memories. Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.61-66. ⟨10.1016/j.microrel.2018.06.088⟩. ⟨hal-01946449⟩
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