Epitaxial growth of LaAlO3 on Si(001) using interface engineering

C. Merckling (1, 2) , G. Delhaye (1) , M. El-Kazzi (1) , Sébastien Gaillard (2) , Y. Rozier (3) , L. Rapenne (4) , B. Chenevier (4) , O. Marty (5) , Guillaume Saint-Girons (1) , M. Gendry (1) , Y. Robach (1) , G. Hollinger (1)

1 LEOM - Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
3 LPM - Laboratoire de physique de la matière
4 LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique
5 LENAC - Laboratoire d'Electronique, Nanotechnologies, Capteurs

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

C. Merckling, G. Delhaye, M. El-Kazzi, Sébastien Gaillard, Y. Rozier, et al.. Epitaxial growth of LaAlO3 on Si(001) using interface engineering. Microelectronics Reliability, 2007, 47 (4-5), pp.540-543. ⟨hal-01939917⟩