Correlative HAADF-STEM and EDX-STEM Tomography for the 3D Morphological and Elemental Analysis of FinFET Semiconductor Devices

Julien Sorel (1, 2, 3) , Martin Jacob (1) , Toby Sanders (4) , Adeline Grenier (1) , Rafael Bortolin Pinheiro (1) , Frederic Mazen (1) , Thierry Epicier (5) , Zineb Saghi (1)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 INSA - Institut National des Sciences Appliquées
3 UCBL - Université Claude Bernard Lyon 1
4 School of Mathematical and Statistical Sciences (Arizona, Tempe)
5 MATEIS - Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne]

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Julien Sorel, Martin Jacob, Toby Sanders, Adeline Grenier, Rafael Bortolin Pinheiro, et al.. Correlative HAADF-STEM and EDX-STEM Tomography for the 3D Morphological and Elemental Analysis of FinFET Semiconductor Devices. Microscopy and Microanalysis, 2018, 24 (S1), pp.388 - 389. ⟨10.1017/S143192761800243X⟩. ⟨hal-01934184⟩