Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes at 300K and 77K - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes at 300K and 77K

N. Dyakonova
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Charles Coulomb
S Karandashev
  • Fonction : Auteur
M. E. Levinshtein
  • Fonction : Auteur
B. Matveev
  • Fonction : Auteur
M.A. Remennyi
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Nina Diakonova  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01926570

Soumis le : lundi 19 novembre 2018-12:44:01

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01926570 , version 1 (19-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01926570 , version 1

Citer

N. Dyakonova, S Karandashev, M. E. Levinshtein, B. Matveev, M.A. Remennyi. Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes at 300K and 77K. 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2018), Jul 2018, Montpellier, France. ⟨hal-01926570⟩

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