Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2008
Catherine BRU CHEVALLIER : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01902121
Soumis le : mardi 23 octobre 2018-14:49:24
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Citer
Houssam Chouaib, C. Bru-Chevallier, Aleksandra Apostoluk, Wojciech Rudno-Rudzinski, Melania Lijadi, et al.. Surface Fermi level in GaAsSb structures grown by molecular beam epitaxy on InP substrates. Applied Physics Letters, 2008, 93 (4), ⟨10.1063/1.2959829⟩. ⟨hal-01902121⟩
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