Elimination of Oxidation-Induced Stacking Faults in Silicon Single Crystals Using the Kyropoulos Crystal Growth Method - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2018

Elimination of Oxidation-Induced Stacking Faults in Silicon Single Crystals Using the Kyropoulos Crystal Growth Method

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Matériaux Génie des procédés

Guy Chichignoud  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01899655

Soumis le : vendredi 19 octobre 2018-16:54:29

Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-10:50:03

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Dates et versions

hal-01899655 , version 1 (19-10-2018)

Identifiants

Citer

Ahmed Nouri, Guy Chichignoud, Mickael Albaric, Virginie Brize, Kader Zaidat. Elimination of Oxidation-Induced Stacking Faults in Silicon Single Crystals Using the Kyropoulos Crystal Growth Method. physica status solidi (a), 2018, 215 (17), ⟨10.1002/pssa.201700961⟩. ⟨hal-01899655⟩

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