Packaging of 10 kV SiC MOSFETs: Trade-Off Between Electrical and Thermal Performances - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Packaging of 10 kV SiC MOSFETs: Trade-Off Between Electrical and Thermal Performances

Cyril Buttay
Ampère, Département Energie Electrique
CV
Hugo Reynes
SuperGrid Institute SAS
Ampère, Département Energie Electrique

Domaines

Electronique
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Cyril Buttay  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01895875

Soumis le : lundi 15 octobre 2018-15:35:50

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

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Dates et versions

hal-01895875 , version 1 (15-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01895875 , version 1

Citer

Cyril Buttay, Hugo Reynes. Packaging of 10 kV SiC MOSFETs: Trade-Off Between Electrical and Thermal Performances. International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China (IFWS), Oct 2018, Shenzhen, China. ⟨hal-01895875⟩

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