P Type Porous Silicon Resistivity and Carrier Transport

Samuel Ménard (1) , Angélique Fèvre , Jérôme Billoue (2) , Gael Gautier (2)

1 ST-TOURS - STMicroelectronics [Tours]
2 GREMAN - UMR 7347 - GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Mots clés: Hopping transport; Doping; Silicon; Aluminium; Electrical resistivity; Porous materials; Transport properties; Bioelectrochemistry; Fermi levels

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Samuel Ménard, Angélique Fèvre, Jérôme Billoue, Gael Gautier. P Type Porous Silicon Resistivity and Carrier Transport. Journal of Applied Physics, 2015, 118 (10), pp.105703. ⟨10.1063/1.4930222⟩. ⟨hal-01784762⟩