Impact of Nonhomoepitaxial Defects in Depleted Diamond MOS Capacitors

T. Pham (1) , J. Piñero (2) , A. Maréchal (1) , M. Gutierrez (3) , F. Lloret (3) , D. Eon (1) , E. Gheeraert (1) , Nicolas C. Rouger (4) , D. Araujo (5) , Julien Pernot (1)

1 NEEL - SC2G - Semi-conducteurs à large bande interdite
2 Dpto. Ciencias de los Materiales, Universidad de Cadiz, Spain
3 Dpto Ciencia de los Materiales
4 LAPLACE-CS - Convertisseurs Statiques
5 Departamento Ciencia de los Materiales e IMyQI

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

T. Pham, J. Piñero, A. Maréchal, M. Gutierrez, F. Lloret, et al.. Impact of Nonhomoepitaxial Defects in Depleted Diamond MOS Capacitors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65 (5), pp.1830-1837. ⟨10.1109/TED.2018.2813084⟩. ⟨hal-01757885⟩