Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2018
Thanh Toan PHAM : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01757878
Soumis le : mercredi 4 avril 2018-10:02:11
Dernière modification le : mardi 12 mars 2024-14:20:05
Citer
Thanh-Toan Pham, C. Gutierrez, C. Masante, Nicolas C. Rouger, D. Eon, et al.. High quality Al 2 O 3 /(100) oxygen-terminated diamond interface for MOSFETs fabrication. Applied Physics Letters, 2018, 112 (10), pp.102103. ⟨10.1063/1.5018403⟩. ⟨hal-01757878⟩
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