High quality Al 2 O 3 /(100) oxygen-terminated diamond interface for MOSFETs fabrication

Thanh-Toan Pham (1) , C. Gutierrez (2) , C. Masante (1) , Nicolas C. Rouger (3) , D. Eon (1) , E. Gheeraert (1) , D. Araujo (4) , Julien Pernot (1)

1 NEEL - SC2G - Semi-conducteurs à large bande interdite
2 Departamento Ciencia de los Materiales e IMyQI
3 LAPLACE-CS - Convertisseurs Statiques
4 Departamento de Ciencia de los Materiales e Ing. Metalurgica y Quimica Inorganica

Domaines: Matière Condensée [cond-mat]; Sciences de l'ingénieur [physics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Thanh-Toan Pham, C. Gutierrez, C. Masante, Nicolas C. Rouger, D. Eon, et al.. High quality Al 2 O 3 /(100) oxygen-terminated diamond interface for MOSFETs fabrication. Applied Physics Letters, 2018, 112 (10), pp.102103. ⟨10.1063/1.5018403⟩. ⟨hal-01757878⟩