Influence of annealing on the formation of inGaAs quantum dots in GaAs matrix during metal organic chemical vapor deposition - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Proceedings of the 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology Année : 2000

Influence of annealing on the formation of inGaAs quantum dots in GaAs matrix during metal organic chemical vapor deposition

Nikolay Cherkashin
Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
CV
N.A. Bert
  • Fonction : Auteur
N.N. Ledentsov
  • Fonction : Auteur
I.V. Kochnev
  • Fonction : Auteur
V.M. Lantratov
  • Fonction : Auteur
Yu.G. Musikhin
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

Nikolay Cherkashin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01736134

Soumis le : vendredi 16 mars 2018-16:09:10

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

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Dates et versions

hal-01736134 , version 1 (16-03-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01736134 , version 1

Citer

Nikolay Cherkashin, N.A. Bert, N.N. Ledentsov, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, et al.. Influence of annealing on the formation of inGaAs quantum dots in GaAs matrix during metal organic chemical vapor deposition. Proceedings of the 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 2000, pp.117-120. ⟨hal-01736134⟩

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