Optimisation of the physical properties of InAs/InGaAs/GaAs QDs heterostructures embedded p-i-n GaAs solar cell - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue International Journal of Nanotechnology Année : 2013

Optimisation of the physical properties of InAs/InGaAs/GaAs QDs heterostructures embedded p-i-n GaAs solar cell

Maher Ezzdini
  • Fonction : Auteur
Bilel Azeza
  • Fonction : Auteur
Saoussen Rekaya
  • Fonction : Auteur
Mohamed Helmi Hadj Alouane
  • Fonction : Auteur
Larbi Sfaxi
  • Fonction : Auteur
R. M'Ghaieth
  • Fonction : Auteur
Nicolas Chauvin
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux
Hassen Maaref
  • Fonction : Auteur
C. Bru-Chevallier
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux
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Nicolas Chauvin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01735303

Soumis le : jeudi 15 mars 2018-17:08:17

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:06

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hal-01735303 , version 1 (15-03-2018)

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Citer

Maher Ezzdini, Bilel Azeza, Saoussen Rekaya, Mohamed Helmi Hadj Alouane, Larbi Sfaxi, et al.. Optimisation of the physical properties of InAs/InGaAs/GaAs QDs heterostructures embedded p-i-n GaAs solar cell. International Journal of Nanotechnology, 2013, 10 (5/6/7), ⟨10.1504/IJNT.2013.053514⟩. ⟨hal-01735303⟩

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