On quantum effects and low frequency noise spectroscopy in Si Gate-All-Around Nanowire MOSFETs at cryogenic temperatures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

On quantum effects and low frequency noise spectroscopy in Si Gate-All-Around Nanowire MOSFETs at cryogenic temperatures

D. Boudier
  • Fonction : Auteur
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
B. Cretu
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
CV
E. Simoen
  • Fonction : Auteur
IMEC
A. Veloso
  • Fonction : Auteur
IMEC
N. Collaert
  • Fonction : Auteur
IMEC

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01712370

Soumis le : lundi 19 février 2018-14:19:43

Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04

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Dates et versions

hal-01712370 , version 1 (19-02-2018)

Identifiants

Citer

D. Boudier, B. Cretu, E. Simoen, A. Veloso, N. Collaert. On quantum effects and low frequency noise spectroscopy in Si Gate-All-Around Nanowire MOSFETs at cryogenic temperatures. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2017, Athens, France. ⟨10.1109/ULIS.2017.7962578⟩. ⟨hal-01712370⟩

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