Enhancement of Auger recombination induced by carrier localization in InGaN/GaN quantum wells

M. Shahmohammadi (1) , W. Liu (1) , G. Rossbach (1) , L. Lahourcade (1) , A. Dussaigne (2) , Catherine Bougerol (3) , R. Butté (1) , N. Grandjean (1) , B. Deveaud (1) , G. Jacopin (1)

1 EPFL - Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

M. Shahmohammadi, W. Liu, G. Rossbach, L. Lahourcade, A. Dussaigne, et al.. Enhancement of Auger recombination induced by carrier localization in InGaN/GaN quantum wells. Physical Review B, 2017, 95 (12), pp.125314. ⟨10.1103/PhysRevB.95.125314⟩. ⟨hal-01677507⟩