Effect of Al incorporation in nonpolar m -plane GaN/AlGaN multi-quantum-wells using plasma-assisted molecular-beam epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2017

Effect of Al incorporation in nonpolar m -plane GaN/AlGaN multi-quantum-wells using plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Caroline B. Lim
Nanophysique et Semiconducteurs
CV
Akhil Ajay
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
Catherine Bougerol
Nanophysique et Semiconducteurs
Edith Bellet-Amalric
Nanophysique et Semiconducteurs
Jörg Schörmann
  • Fonction : Auteur
Justus-Liebig-Universität Gießen = Justus Liebig University
Mark Beeler
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
Eva Monroy
Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Catherine Bougerol  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : lundi 8 janvier 2018-13:59:32

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Citer

Caroline B. Lim, Akhil Ajay, Catherine Bougerol, Edith Bellet-Amalric, Jörg Schörmann, et al.. Effect of Al incorporation in nonpolar m -plane GaN/AlGaN multi-quantum-wells using plasma-assisted molecular-beam epitaxy. physica status solidi (a), 2017, 214 (9), pp.1600849. ⟨10.1002/pssa.201600849⟩. ⟨hal-01677502⟩

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