Evolution des performances électriques des transistors des filières GaN sous l’effet d’irradiation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01654495 , version 1 (04-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654495 , version 1

Citer

Fanny Berthet, Yannick Guhel, B. Boudart, Jean Lionel Trolet, M. Piccione, et al.. Evolution des performances électriques des transistors des filières GaN sous l’effet d’irradiation. Rencontres Jeunes Chercheurs, 2010, Annecy, France. ⟨hal-01654495⟩
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