Développement d’une attaque chimique sélective entre GaAs et Al0.22Ga0.78As et application au creusement du fossé de grille d’un TEC de puissance - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1999

Développement d’une attaque chimique sélective entre GaAs et Al0.22Ga0.78As et application au creusement du fossé de grille d’un TEC de puissance

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : lundi 4 décembre 2017-09:05:40

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-01654470 , version 1 (04-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654470 , version 1

Citer

X. Hue, B. Boudart, Y. Crosnier. Développement d’une attaque chimique sélective entre GaAs et Al0.22Ga0.78As et application au creusement du fossé de grille d’un TEC de puissance. 7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1999, Egat, France. ⟨hal-01654470⟩

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