Influence d’un stress à canal ouvert sur les signaux d’électroluminescence émis par des transistors AlInN/GaN

Fanny Berthet , Guillaume Brocero (1, 2) , Sebastien Petitdidier , Yannick Guhel (2) , Philippe Eudeline (1) , Jean Lionel Trolet (3) , Patrick Mary (3) , A. Vivier , Christophe Gaquière (4) , B. Boudart (2)

1 Thales Air Systems
2 Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
3 EAMEA - Ecole des applications militaires de l'énergie atomique
4 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Electronique

Fanny Berthet, Guillaume Brocero, Sebastien Petitdidier, Yannick Guhel, Philippe Eudeline, et al.. Influence d’un stress à canal ouvert sur les signaux d’électroluminescence émis par des transistors AlInN/GaN. 20es Journées Nationales Microondes, 2017, Saint Malo, France. ⟨hal-01652207⟩