A tunneling model for gate oxide failure in deep sub-micron technology
Résumé
no abstract
Ouvrages
Année : 2004
Sandrine Bernardini : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01633147
Soumis le : samedi 11 novembre 2017-15:50:56
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01633147 , version 1
Citer
S. Bernardini, Jean-Michel Portal, P. Masson. A tunneling model for gate oxide failure in deep sub-micron technology. pp.1404-1405, 2004, Design, Automation and Test in Europe Conference and Exhibition, Vols 1 and 2, Proceedings, 0-7695-2085-5. ⟨hal-01633147⟩
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