Improvement of Boron Doping in SiGe Raised Sources and Drains for FD-SOI Technology by Carbon Incorporation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Improvement of Boron Doping in SiGe Raised Sources and Drains for FD-SOI Technology by Carbon Incorporation

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

Fabien Cheynis  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01617102

Soumis le : lundi 16 octobre 2017-10:40:16

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05

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Dates et versions

hal-01617102 , version 1 (16-10-2017)

Identifiants

Citer

M. Labrot, F. Cheynis, D. Barge, M. Juhel, Pierre Müller. Improvement of Boron Doping in SiGe Raised Sources and Drains for FD-SOI Technology by Carbon Incorporation. PRIME 2016, Oct 2016, Honolulu, United States. pp.29 - 38, ⟨10.1149/07508.0029ecst⟩. ⟨hal-01617102⟩

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