MOCVD Epitaxy and Characterization of III-As and III-P Thin Layers on 300mm Silicon Substrate

Mickael Martin (1) , Romain Cipro (2) , M. Billaud (3) , Jérémy Moeyaert (4) , Franck Bassani (2) , S. Arnaud , Sylvain David (5) , Viktoriia Gorbenko , Jean-Paul Barnes , Hervé Boutry (6) , Julien Duvernay , M. Casse , Yann Bogumilowicz , N. Rochas , Nicolas Chauvin (7) , X. Bao , Zhiyuan Ye , J. Pin , E. Sanchez , T. Baron. (2)

1 AMU EU3M - Aix-Marseille Université - École universitaire de maïeutique Marseille Méditerranée
2 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
3 LaBRI - Laboratoire Bordelais de Recherche en Informatique
4 CSNSM SEMI
5 IPNO - Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
6 UCL - Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain
7 INL - S&N - INL - Spectroscopies et Nanomatériaux

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Optique / photonique; Matériaux; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Mickael Martin, Romain Cipro, M. Billaud, Jérémy Moeyaert, Franck Bassani, et al.. MOCVD Epitaxy and Characterization of III-As and III-P Thin Layers on 300mm Silicon Substrate. MRS Spring Meeting, Apr 2015, San Francisco, California, United States. 2015. ⟨hal-01489617⟩