Electrical characterization and TCAD simulations of multi-gate bulk nMOSFET

Inga Zbierska; Liviu Militaru; Françis Calmon; Sylvain Feruglio; Guo-Neng Lu

doi:10.1016/j.mejo.2015.03.018

Article Dans Une Revue Microelectronics Journal Année : 2015

Electrical characterization and TCAD simulations of multi-gate bulk nMOSFET

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Inga Zbierska

Fonction : Auteur

INL - Conception de Systèmes Hétérogènes

INL - Dispositifs Electroniques

Liviu Militaru

Fonction : Auteur
PersonId : 173395
IdHAL : liviu-militaru
IdRef : 14496869X

INL - Dispositifs Electroniques

Françis Calmon

Fonction : Auteur
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IdHAL : francis-calmon
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INL - Dispositifs Electroniques

CV

Sylvain Feruglio

Fonction : Auteur
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IdHAL : feruglio
ORCID : 0000-0002-6444-2671
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Systèmes Electroniques

CV

Guo-Neng Lu

Fonction : Auteur

INL - Conception de Systèmes Hétérogènes

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Informatique [cs]

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https://hal.science/hal-01488981

Soumis le : mardi 14 mars 2017-10:12:08

Dernière modification le : mardi 11 avril 2023-15:16:28

Dates et versions

hal-01488981 , version 1 (14-03-2017)

Identifiants

HAL Id : hal-01488981 , version 1
DOI : 10.1016/j.mejo.2015.03.018

Citer

Inga Zbierska, Liviu Militaru, Françis Calmon, Sylvain Feruglio, Guo-Neng Lu. Electrical characterization and TCAD simulations of multi-gate bulk nMOSFET. Microelectronics Journal, 2015, 46 (7), pp.588-592. ⟨10.1016/j.mejo.2015.03.018⟩. ⟨hal-01488981⟩

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