First-principles study of near surface point defects stability in Si (100) and SiGe(100)
Résumé
no abstract
Article Dans Une Revue
Thin Solid Films
Année : 2010
Georges Landa : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01481811
Soumis le : jeudi 2 mars 2017-23:40:05
Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:17
Citer
S. Fetah, A. Chikouche, A. Dkhissi, A. Esteve, M. Djafari Rouhani, et al.. First-principles study of near surface point defects stability in Si (100) and SiGe(100). Thin Solid Films, 2010, 518 (9), pp.2418-2421. ⟨10.1016/j.tsf.2009.09.182⟩. ⟨hal-01481811⟩
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