TCAD Calibration of High-Speed Si/SiGe HBTs in 55-nm BiCMOS - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

TCAD Calibration of High-Speed Si/SiGe HBTs in 55-nm BiCMOS

T. Vu
  • Fonction : Auteur
D. Celi
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
T. Zimmer
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
S. Fregonese
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01399104

Soumis le : vendredi 18 novembre 2016-12:54:07

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-14:53:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01399104 , version 1 (18-11-2016)

Identifiants

Citer

T. Vu, D. Celi, T. Zimmer, S. Fregonese, P. Chevalier. TCAD Calibration of High-Speed Si/SiGe HBTs in 55-nm BiCMOS. PriMe 2016, Oct 2016, Honolulu, United States. pp.113 - 119, ⟨10.1149/07508.0113ecst⟩. ⟨hal-01399104⟩

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