Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2016
sebastien fregonese : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01399080
Soumis le : vendredi 18 novembre 2016-12:20:54
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Citer
Rosario d'Esposito, Sebastien Fregonese, Anjan Chakravorty, Pascal Chevalier, Didier Celi, et al.. Innovative SiGe HBT Topologies With Improved Electrothermal Behavior. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63 (7), pp.2677 - 2683. ⟨10.1109/TED.2016.2570601⟩. ⟨hal-01399080⟩
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