Effects of gas and surface temperatures during cryogenic etching of silicon with SF6/O2 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Effects of gas and surface temperatures during cryogenic etching of silicon with SF6/O2

Stefan Tinck
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 965232
Research group PLASMANT
Erik Neyts
  • Fonction : Auteur
Research group PLASMANT
Thomas Tillocher
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
CV
Remi Dussart
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
CV
Annemie Bogaerts
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 906837
Research group PLASMANT

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph]

Remi Dussart  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01379701

Soumis le : mardi 11 octobre 2016-23:28:30

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01379701 , version 1 (11-10-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01379701 , version 1

Citer

Stefan Tinck, Erik Neyts, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Annemie Bogaerts. Effects of gas and surface temperatures during cryogenic etching of silicon with SF6/O2. 69th Gaseous Electronic Conference, Oct 2016, Bochum, France. ⟨hal-01379701⟩

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