Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiC

Beverley Choucoutou (1, 2) , Luong Viet Phung (2) , Pierre Brosselard (3) , Michel Mermet-Guyennet (1) , Dominique Planson (2)

1 SuperGrid Institute SAS
2 EE - Ampère, Département Energie Electrique
3 CALY Technologies

RESUME – Ce papier présente les résultats obtenus en simulation sur l'étude d'un transistor bipolaire de puissance en carbure de silicium (SiC) au sein de Supergrid. Cet ITE (Institut pour la Transition Energétique) a pour objectif de penser les réseaux de transport électrique de demain, où l'acheminement se fera en courant continu (DC) et à très haute tension pour limiter les pertes. L'un des objectifs est de concevoir un interrupteur de puissance haute tension 10 kV et fort courant pour divers applications de transformateurs MVDC à rendement élevé. Nous étudions notamment l'influence de la structure et des paramètres géométriques de la base sur la tenue en tension et le gain en émetteur commun du composant. Se plaçant dans un contexte de réalisation industrielle, ces composants devront être optimisés pour tenir des tensions d'au moins 10 kV, tout en limitant les pertes en commutation, en conduction et à la commande. Nous visons également un calibre en courant de 50 A par puce

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Beverley Choucoutou, Luong Viet Phung, Pierre Brosselard, Michel Mermet-Guyennet, Dominique Planson. Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiC. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361668⟩