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Conference papers

Contributions aux circuits de commande gate driver dédiés à la haute température et aux très fortes vitesses de commutation

Résumé : -Basé sur les contraintes de fonctionnement des transistors à commutations rapides, cet article présente et analyse la problématique du transfert des ordres de commande du transistor « high-side » dans une configuration de bras d’onduleur. En plus des contraintes imposées par les forts « dv/dt » sur le driver, la température de fonctionnement élevée (jusqu’à 200°C) impose une conception spécifique du circuit de commande. Aujourd’hui, la technologie silicium reste la solution la plus fiable et la plus mature pour la conception du driver mais au prix d’une mise en oeuvre délicate (tenue en tension, température, dv/dt). Trois solutions sont proposées et comparées : transformateur coreless, level-shifter et émetteur/récepteur optique. Les délais de propagation, l’intégrité du signal (durée du rapport cyclique et précision temporelle) ainsi que l’immunité auxdv/dt des prototypes sont caractérisées en fonction de la température ambiante de fonctionnement.
Document type :
Conference papers
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01333015
Contributor : Sylvie Garcia <>
Submitted on : Thursday, June 16, 2016 - 4:58:41 PM
Last modification on : Monday, September 13, 2021 - 2:44:04 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-01333015, version 1

Citation

Van-Sang Nguyen, Thanh Long Le, Farshid Sarrafin_ardebili, Duc Ngoc To, Davy Colin, et al.. Contributions aux circuits de commande gate driver dédiés à la haute température et aux très fortes vitesses de commutation. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01333015⟩

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