Nonlinear optical absorption induced by high photo-excitation of group-III nitride based quantum wells - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2003

Nonlinear optical absorption induced by high photo-excitation of group-III nitride based quantum wells

Pierre Lefebvre
Groupe d'étude des semiconducteurs
CV
Sokratis Kalliakos
  • Fonction : Auteur
Groupe d'étude des semiconducteurs
Thierry Taliercio
Groupe d'étude des semiconducteurs
CV

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique [physics.optics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

Pierre Lefebvre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01312666

Soumis le : dimanche 8 mai 2016-11:11:47

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01312666 , version 1 (08-05-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01312666 , version 1

Citer

Pierre Lefebvre, Sokratis Kalliakos, Thierry Taliercio. Nonlinear optical absorption induced by high photo-excitation of group-III nitride based quantum wells. 5th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 5., May 2003, Nara, Japan. . ⟨hal-01312666⟩

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