Physics and optical properties of GaN-AlGaN quantum wells. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Chapitre D'ouvrage Année : 2002

Physics and optical properties of GaN-AlGaN quantum wells.

Pierre Lefebvre
Groupe d'étude des semiconducteurs
CV
Bernard Gil
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860800
Groupe d'étude des semiconducteurs
Jean Massies
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 958532
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Nicolas Grandjean
  • Fonction : Auteur
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Mathieu Leroux
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 958528
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Pierre Bigenwald
Avignon Université
Hadis Morkoc
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 958247
Virginia Commonwealth University

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique [physics.optics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

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https://hal.science/hal-01306468

Soumis le : dimanche 24 avril 2016-13:14:56

Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-18:20:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01306468 , version 1 (24-04-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01306468 , version 1

Citer

Pierre Lefebvre, Bernard Gil, Jean Massies, Nicolas Grandjean, Mathieu Leroux, et al.. Physics and optical properties of GaN-AlGaN quantum wells.. H. Jiang; O. Manasreh III-V Nitride Semiconductors : Optical Properties I, Taylor & Francis Books, pp.249, 2002, 1-56032-972-6. ⟨hal-01306468⟩

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