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Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Low-Damage etching of highly porous OSG low-k dielectrics

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01280267 , version 1 (29-02-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01280267 , version 1

Citer

Jean-Francois de Marneffe, Liping Zhang, Mikhail Baklanov, Koichi Yatsuda, Kaoru Maekawa, et al.. Low-Damage etching of highly porous OSG low-k dielectrics. SPIE Advanced Lithography 2016, Feb 2016, San José, United States. ⟨hal-01280267⟩
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