Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and nitrogen

Abstract : no abstract
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Article dans une revue
Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2006, 40 (4), pp.476--482
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Contributeur : Sidi Ould Saad Hamady <>
Soumis le : dimanche 21 février 2016 - 18:42:06
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:21

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  • HAL Id : hal-01276983, version 1

Citation

C Sartel, S Gautier, Sidi Ould Saad Hamady, Nabila Maloufi, J Martin, et al.. Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and nitrogen. Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2006, 40 (4), pp.476--482. 〈hal-01276983〉

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