Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2015
sebastien fregonese : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01235964
Soumis le : mardi 1 décembre 2015-09:47:37
Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27
Citer
Jorge-Daniel Aguirre-Morales, Sebastien Fregonese, Chhandak Mukherjee, Cristell Maneux, Thomas Zimmer. An Accurate Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (12), ⟨10.1109/TED.2015.2487243⟩. ⟨hal-01235964⟩
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