SiGe Low Temperature Epitaxy by PECVD on III-V MOVPE Grown Material for High Efficiency Tandem Solar Cell Applications

Jean Decobert (1) , Romain Cariou (2, 1) , Kevin Louarn (1) , Catherine Fortin (1) , Raphaël Lachaume (3) , J Alvarez (3) , Jean-Paul Kleider (3) , Martin Foldyna (2) , Pere Roca I. Cabarrocas (2)

1 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab
2 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
3 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Energie électrique; Optique / photonique; Matériaux

Jean Decobert, Romain Cariou, Kevin Louarn, Catherine Fortin, Raphaël Lachaume, et al.. SiGe Low Temperature Epitaxy by PECVD on III-V MOVPE Grown Material for High Efficiency Tandem Solar Cell Applications. 16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, EWMOVPE XVI, Jun 2015, Lund, Sweden. ⟨hal-01232098⟩