Etude du contact Schottky de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC après 7000h de test de vieillissement de type HTOL

Mehdi Rzin (1) , Arnaud Curutchet (1) , Nathalie Labat (1) , Nathalie Malbert (2) , Laurent Brunel (1) , Benoit Lambert

1 IMS - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
2 NANOELECTRONIQUE/III-V

L’objectif de ce papier est d’étudier un effet parasite électrique qui apparait sur la caractéristique de la diode Schottky des HEMTs AlGaN/GaN en polarisation directe après un vieillissement de type HTOL ou HTRB. Cet effet est caractérisé électriquement en DC et en bruit aux basses fréquences associé au courant de grille pour en comprendre l’origine et en évaluer l’impact sur la fiabilité et sur la durée de vie de la filière HEMT à base de GaN étudiée.

Domaines: Electronique

Mehdi Rzin, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Laurent Brunel, et al.. Etude du contact Schottky de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC après 7000h de test de vieillissement de type HTOL. XIXèmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM2015), Jun 2015, TALENCE, France. ⟨hal-01163586⟩