Conception d’un driver unitaire pour modulateur de phase optique haute vitesse en technologie BiCMOS SiGe 55 nm pour un modulateur photonique intégré sur silicium 100 Gbits/s NRZ à un seul canal

Jeremie Prades (1) , Anthony Ghiotto (1) , Denis Pache (2) , Eric Kerhervé (1)

1 IMS - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]

Cet article présente la conception d’un driver unitaire intégré sur silicium pour modulateur optique photonique. Il permet atteindre un débit binaire de 100 Gbits/s NRZ (Non Return to Zero) sur une seule voie de transmission. Il permet de piloter un segment de modulateur de phase haute vitesse (MPHV), d’un Interferomètre de Mach Zehnder (IMZ), autorisant une bande passante de 160 GHz. Il est fabriqué avec la technologie 55 nm BiCMOS SiGe de STMicroelectronics qui offre une fT supérieure à 300 GHz. Ce circuit délivre une amplitude de sortie de 2,5 V pour une échelle d’amplitude en entrée comprise entre 0,3 V et 0,5 V avec une consommation de 300 mW, un débit de donnée de 100 Gbits/s et une surface active de 0,0287 mm2.

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Optique / photonique

Jeremie Prades, Anthony Ghiotto, Denis Pache, Eric Kerhervé. Conception d’un driver unitaire pour modulateur de phase optique haute vitesse en technologie BiCMOS SiGe 55 nm pour un modulateur photonique intégré sur silicium 100 Gbits/s NRZ à un seul canal. Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique, May 2015, Bordeaux, France. ⟨hal-01150148⟩