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Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Functionalization of HTCVD Grown Aluminium Nitride

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01138862 , version 1 (02-04-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01138862 , version 1

Citer

M. Pons, R. Boichot, Florian Mercier, E. Blanquet. Functionalization of HTCVD Grown Aluminium Nitride. International Conference on Semiconductor Materials and Devices (ISSMD-3), 2015, Chennai, India. ⟨hal-01138862⟩
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