GaN, une alternative au SiC pour les applications domotiques ?

Amira Souguir-Aouani (1)

1 EE - Ampère, Département Energie Electrique

Résumé – Dans cet article, nous étudions les différents principes pour concevoir une nouvelle génération de redresseur Schottky de puissance en Nitrure de Gallium (GaN). Nous avons arrêté notre choix sur une structure de diode Schottky pseudo-verticale en GaN sur un substrat en silicium, ayant une tenue en tension de 600V. Pour cela, nous avons identifié les étapes critiques du procédé de fabrication. Une grande partie des travaux de recherche consiste à optimiser cette structure. Pour cela, nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques et géométriques sur le compromis « tenue en tension / résistance passante spécifique ». Nous avons également étudié l'impact des protections périphériques afin d'assurer la tenue en tension du composant. Finalement, les résultats de simulation sont comparés avec les mesures expérimentales des structures de test afin de valider les paramètres des modèles de simulation.

Mots clés: tenue en tension en inverse; modèles de simulation; diode Schottky; résistance passante spécifique; grand gap; GaN; structure pseudo verticale; substrat en silicium

Domaines: Energie électrique

Amira Souguir-Aouani. GaN, une alternative au SiC pour les applications domotiques ?. JCGE, Jun 2014, Saint-Louis, France. ⟨hal-01083953⟩