Etude de la robustesse de transistors MOSFET SiC pour des applications aéronautiques

Dhouha Othman (1, 2, 3)

1 TAES - THALES Avionics Electrical Systems
2 SATIE - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie
3 IFSTTAR/COSYS/LTN - Laboratoire des Technologies Nouvelles

L'objectif de cette étude est de maîtriser les aspects de robustesse des interrupteurs de puissance à technologie grand gap à base de carbure de silicium ainsi que l'étude de leur impact sur la conception des convertisseurs aéronautiques de nouvelle génération. Les travaux présentés portent sur des résultats expérimentaux préliminaires obtenus sur des transistors MOSFET 1200V en SiC. Cet article présente les résultats obtenus lors des essais de robustesse en régime de court-circuit et des essais de vieillissement accélérés montrant des modes de défaillance possibles dans des conditions réelles de fonctionnement

Mots clés: « Carbure de Silicium (SiC) »; « MOSFET »; « Caractérisation »; « Vieillissement »; « Robustesse »; « court; circuit ».

Domaines: Energie électrique

Dhouha Othman. Etude de la robustesse de transistors MOSFET SiC pour des applications aéronautiques. Journées JCGE'2014 - SEEDS, Jun 2014, Saint-Louis, France. ⟨hal-01083936⟩