First demonstration of heterojunction-free GaN nanochannel FinFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

First demonstration of heterojunction-free GaN nanochannel FinFETs

Ki-Sik Im,
  • Fonction : Auteur
Young-Woo Jo,
  • Fonction : Auteur
Ki-Won Kim,
  • Fonction : Auteur
Dong-Seok Kim,
  • Fonction : Auteur
Hee-Sung Kang,
  • Fonction : Auteur
Chul-Ho Won,
  • Fonction : Auteur
Ryun-Hwi Kim,
  • Fonction : Auteur
Sang-Min Jeon,
  • Fonction : Auteur
Dong-Hyeok Son,
  • Fonction : Auteur
Yoo-Mi Kwon,
  • Fonction : Auteur
Jae-Hoon Lee,
  • Fonction : Auteur
Sorin Cristoloveanu,
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
Jung-Hee Lee,
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Brigitte Rasolofoniaina  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01078829

Soumis le : jeudi 30 octobre 2014-13:56:48

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:13:53

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01078829 , version 1 (30-10-2014)

Identifiants

Citer

Ki-Sik Im,, Young-Woo Jo,, Ki-Won Kim,, Dong-Seok Kim,, Hee-Sung Kang,, et al.. First demonstration of heterojunction-free GaN nanochannel FinFETs. 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2013 (ISPD 2013), May 2013, Kanazawa, Japan. ⟨10.1109/ISPSD.2013.6694433⟩. ⟨hal-01078829⟩

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