Coupling effects in vertical double-gate SOI MOSFET. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01068380 , version 1 (25-09-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01068380 , version 1

Citer

S.-J. Chang, M. Bawedin, K. Akarvardar, J.-H. Lee, S. Cristoloveanu. Coupling effects in vertical double-gate SOI MOSFET.. EuroSOI 2013, Jan 2013, Paris, France. pp.3.4. ⟨hal-01068380⟩
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