Strain relaxation in GaN/AlxGa1-xN superlattices grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Y. Kotsar , B. Doisneau (1) , E. Bellet-Amalric (2) , A. Das (2) , E. Sarigiannidou (3) , E. Monroy (4)

1 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
2 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
3 LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique
4 SP2M - UMR 9002 - Service de Physique des Matériaux et Microstructures

no abstract

Domaines: Matériaux

Y. Kotsar, B. Doisneau, E. Bellet-Amalric, A. Das, E. Sarigiannidou, et al.. Strain relaxation in GaN/AlxGa1-xN superlattices grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 2011, 110 (3), pp.033501. ⟨10.1063/1.3618680⟩. ⟨hal-01067380⟩